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SIA421DJ-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 1A, SC-70
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.610 | $ 1.61 |
| Total Preço | $ 1.61 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.610 |
| 50+ | $ 0.759 |
| 100+ | $ 0.676 |
| 250+ | $ 0.603 |
| 500+ | $ 0.530 |
| 1000+ | $ 0.494 |
| 2500+ | $ 0.459 |
| 5000+ | $ 0.423 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIA421DJ-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rodo à Medida57AJ0362RL
Segmento de fita57AJ0362
Gama de produtosTrench
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1A
On Resistance Rds(on)0.056ohm
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Transistor Case StyleSC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation3.5W
Power Dissipation Pd3.5W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.056ohm
Transistor Case Style
SC-70
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
3.5W
No. of Pins
6Pins
Product Range
Trench
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
3.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (3)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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