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SI9933CDY-T1-GE3.
Dual MOSFET, Dual P Channel, 20 V, 4 A
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI9933CDY-T1-GE3.Cópia
Código Newark26AC3354
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.200 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 2500
Vários: 2500
$ 500.00
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI9933CDY-T1-GE3.Cópia
Código Newark26AC3354
Ficha técnica
Channel TypeDual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.058ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
Dual P Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.058ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SI9933CDY-T1-GE3.
2 produtos encontrados
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Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Não
Ftalatos compatíveis com RoHS:Não
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto