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SI9926CDY-T1-E3.
Dual MOSFET, Dual N Channel, 20 V, 8 A, 1.8 mohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI9926CDY-T1-E3.Cópia
Código Newark28AC2187
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Entrega estimada após a confirmação do pedido.Ser-lhe-á feita a cobrança aquando do envio.
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.552 |
| 5000+ | $ 0.483 |
| 10000+ | $ 0.423 |
| 15000+ | $ 0.389 |
| 25000+ | $ 0.341 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 2500
Vários: 2500
$ 1,380.00
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI9926CDY-T1-E3.Cópia
Código Newark28AC2187
Ficha técnica
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel1.8mohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (19-Jan-2021)
Especificações Técnicas
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
1.8mohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Não
Ftalatos compatíveis com RoHS:Não
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (19-Jan-2021)
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