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SI7997DP-T1-GE3
MOSFET, DUAL P-CH, -20.8V, POWERPAK SO
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7997DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3932
Rodo à Medida01AC5009RL
Segmento de fita01AC5009
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
6,700 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.440 | $ 3.44 |
| Total Preço | $ 3.44 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.440 |
| 50+ | $ 2.250 |
| 100+ | $ 1.580 |
| 250+ | $ 1.480 |
| 500+ | $ 1.370 |
| 1000+ | $ 1.290 |
| 2500+ | $ 1.260 |
| 5000+ | $ 1.240 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 1.400 |
| 4000+ | $ 1.260 |
| 6000+ | $ 1.210 |
| 10000+ | $ 1.170 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7997DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3932
Rodo à Medida01AC5009RL
Segmento de fita01AC5009
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel4500µohm
Drain Source On State Resistance P Channel4500µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel46W
Power Dissipation P Channel46W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
4500µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
46W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
4500µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
46W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI7997DP-T1-GE3
2 produtos encontrados
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto