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SI7994DP-T1-GE3
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 60A, SOIC
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7994DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark97W2715
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.150 |
| 10+ | $ 3.650 |
| 25+ | $ 3.360 |
| 50+ | $ 3.080 |
| 100+ | $ 2.790 |
| 250+ | $ 2.650 |
| 500+ | $ 2.500 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 5.15
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7994DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark97W2715
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel4600µohm
Drain Source On State Resistance P Channel4600µohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.5W
Power Dissipation P Channel3.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
4600µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.5W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
4600µohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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