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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7884BDP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rolo completo29X0551
Segmento de fita16P3877
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 37 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 2.420 | $ 7,260.00 |
| Total Preço | $ 7,260.00 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 25+ | $ 2.420 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 1.650 |
| 4000+ | $ 1.540 |
| 8000+ | $ 1.430 |
| 12000+ | $ 1.380 |
| 20000+ | $ 1.360 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7884BDP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rolo completo29X0551
Segmento de fita16P3877
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
On Resistance Rds(on)0.0062ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd46W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Power Dissipation46W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The SI7884BDP-T1-GE3 is a 40V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mΩ and with the capability to handle 85A.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
PowerPAK SO
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
58A
On Resistance Rds(on)
0.0062ohm
Power Dissipation Pd
46W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
46W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para SI7884BDP-T1-GE3
3 produtos encontrados
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto
