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SI7852DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 80V, PPAK-SO8
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7852DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark63W4151
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.340 |
| 10+ | $ 2.850 |
| 25+ | $ 2.580 |
| 50+ | $ 2.290 |
| 100+ | $ 2.010 |
| 500+ | $ 1.680 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7852DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark63W4151
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id12.5A
Drain Source On State Resistance0.0165ohm
On Resistance Rds(on)0.0135ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation1.9W
Power Dissipation Pd1.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
- N-channel 80V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- Low thermal resistance PowerPAK® package with Low 1.07mm profile
- PWM optimized for fast switching
- 100 % Rg tested
- Used in primary side switch for DC/DC applications
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0165ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.9W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12.5A
On Resistance Rds(on)
0.0135ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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