Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7852DP-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rolo completo29X0550
Rodo à Medida06J8172
Segmento de fita06J8172
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
3,000 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.840 | $ 2.84 |
| Total Preço | $ 2.84 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.840 |
| 25+ | $ 2.430 |
| 50+ | $ 2.320 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 1.670 |
| 4000+ | $ 1.550 |
| 8000+ | $ 1.450 |
| 12000+ | $ 1.390 |
| 20000+ | $ 1.370 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7852DP-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rolo completo29X0550
Rodo à Medida06J8172
Segmento de fita06J8172
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id7.6A
Drain Source On State Resistance0.0165ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation1.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
The SI7852DP-T1-E3 is a 80VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch applications.
- New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- PWM optimized
- Fast switching
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.6A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0165ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI7852DP-T1-E3
1 produto encontrado
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
