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SI7848BDP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 47 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7848BDP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark
Rodo à Medida16P3873
Segmento de fita16P3873
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 27 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 2.010 | $ 6,030.00 |
| Total Preço | $ 6,030.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 500+ | $ 2.010 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7848BDP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark
Rodo à Medida16P3873
Segmento de fita16P3873
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id47A
Drain Source On State Resistance0.009ohm
On Resistance Rds(on)0.0074ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage20V
Power Dissipation Pd4.2W
Transistor Case StylePowerPAK SO
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation4.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The SI7848BDP-T1-GE3 is a 40V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mΩ and with the capability to handle 85A.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.009ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
4.2W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
47A
On Resistance Rds(on)
0.0074ohm
Rds(on) Test Voltage
20V
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI7848BDP-T1-GE3
3 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto