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SI7615DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 35 A, 0.0039 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7615DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark15R5220
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 37 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 0.969 |
| 4000+ | $ 0.893 |
| 6000+ | $ 0.869 |
| 10000+ | $ 0.855 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 3000
Vários: 3000
$ 2,907.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7615DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark15R5220
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id35A
On Resistance Rds(on)0.0055ohm
Drain Source On State Resistance0.0039ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd52W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
0.0039ohm
Power Dissipation Pd
52W
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI7615DN-T1-GE3
4 produtos encontrados
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto