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SI7540ADP-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 8 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7540ADP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo76Y1495
Rodo à Medida10AC9119RL
Segmento de fita10AC9119
Gama de produtosTrenchFET Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.610 | $ 2.61 |
| Total Preço | $ 2.61 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.610 |
| 50+ | $ 1.680 |
| 100+ | $ 1.150 |
| 250+ | $ 1.030 |
| 500+ | $ 0.919 |
| 1000+ | $ 0.849 |
| 2500+ | $ 0.826 |
| 5000+ | $ 0.803 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 1.020 |
| 10000+ | $ 0.996 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7540ADP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo76Y1495
Rodo à Medida10AC9119RL
Segmento de fita10AC9119
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id8A
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0115ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0115ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
N- and P-channel 20V (D-S) MOSFET suitable for use in DC/DC converters, synchronous buck converter, synchronous rectifier, load switch and motor drive switch.
- TrenchFET® power MOSFET
- Thermally enhanced PowerPAK®
- 100% Rg tested
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
8A
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0115ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0115ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI7540ADP-T1-GE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto