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SI7456DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 5.7 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7456DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida97K9795RL
Segmento de fita97K9795
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 4.220 | $ 21.10 |
| Total Preço | $ 21.10 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 4.220 |
| 10+ | $ 2.620 |
| 25+ | $ 2.510 |
| 50+ | $ 2.400 |
| 100+ | $ 2.290 |
| 250+ | $ 2.230 |
| 500+ | $ 2.160 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7456DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida97K9795RL
Segmento de fita97K9795
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id5.7A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.9W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Descrição geral do produto
The SI7456DP-TI-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC primary side switch, telecom/server and full/half-bridge DC-to-DC applications.
- New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- PWM optimized
- Fast switching
- 100% Rg tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicações
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Automotive
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.7A
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
1.9W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (10-Jun-2022)
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Certificado de conformidade do produto