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SI7456DDP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 27.8A, PP SO-8
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7456DDP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark63W4148
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.200 |
| 25+ | $ 2.120 |
| 50+ | $ 1.970 |
| 100+ | $ 1.800 |
| 250+ | $ 1.640 |
| 500+ | $ 1.460 |
| 1000+ | $ 1.260 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7456DDP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark63W4148
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id27.8A
Drain Source On State Resistance23mohm
On Resistance Rds(on)0.017ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation35.7W
Power Dissipation Pd35.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
N-channel 100V (D-S) MOSFET for use in DC/DC primary side switch, telecom/server 48V, full/half-bridge DC/DC, industrial and synchronous rectification.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
23mohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
35.7W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
27.8A
On Resistance Rds(on)
0.017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Power Dissipation Pd
35.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (3)
Alternativas para SI7456DDP-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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