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SI7415DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 5.7 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7415DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rodo à Medida16P3845RL
Segmento de fita16P3845
Seu número de peça
2,850 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.900 | $ 2.90 |
| Total Preço | $ 2.90 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.900 |
| 50+ | $ 1.970 |
| 100+ | $ 1.430 |
| 250+ | $ 1.340 |
| 500+ | $ 1.130 |
| 1000+ | $ 1.060 |
| 2500+ | $ 1.040 |
| 5000+ | $ 1.010 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7415DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rodo à Medida16P3845RL
Segmento de fita16P3845
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id5.7A
On Resistance Rds(on)0.054ohm
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage20V
Power Dissipation Pd1.5W
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Descrição geral do produto
The SI7415DN-T1-GE3 is a -60V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in load switches, half bridge motor drives and high voltage non-synchronous buck converters applications. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mΩ and with the capability to handle 85A.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- Fast switching
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.054ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.7A
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Rds(on) Test Voltage
20V
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI7415DN-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
