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SI7223DN-T1-GE3
MOSFET, DUAL P-CH, -30V, POWERPAK 1212
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7223DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo59AC7489
Rodo à Medida56AC6592RL
Segmento de fita56AC6592
Gama de produtosTrenchFET Gen III Series
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.720 | $ 1.72 |
| Total Preço | $ 1.72 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.720 |
| 50+ | $ 1.100 |
| 100+ | $ 0.728 |
| 250+ | $ 0.651 |
| 500+ | $ 0.573 |
| 1000+ | $ 0.523 |
| 2500+ | $ 0.492 |
| 5000+ | $ 0.460 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.587 |
| 10000+ | $ 0.577 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7223DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo59AC7489
Rodo à Medida56AC6592RL
Segmento de fita56AC6592
Gama de produtosTrenchFET Gen III Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.022ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.022ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel23W
Power Dissipation P Channel23W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.022ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
23W
Product Range
TrenchFET Gen III Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.022ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
23W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI7223DN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto