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SI7155DP-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 100 A, 0.0036 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7155DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante48 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6313
Rodo à Medida56AC6589RL
Segmento de fita56AC6589
Gama de produtosTrenchFET Gen III Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.750 | $ 3.75 |
| Total Preço | $ 3.75 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.750 |
| 50+ | $ 2.100 |
| 100+ | $ 1.930 |
| 250+ | $ 1.790 |
| 500+ | $ 1.650 |
| 1000+ | $ 1.620 |
| 2500+ | $ 1.590 |
| 5000+ | $ 1.560 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 1.570 |
| 4000+ | $ 1.450 |
| 6000+ | $ 1.410 |
| 10000+ | $ 1.370 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7155DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante48 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6313
Rodo à Medida56AC6589RL
Segmento de fita56AC6589
Gama de produtosTrenchFET Gen III Series
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0036ohm
On Resistance Rds(on)0.003ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd104W
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0036ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.003ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
104W
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI7155DP-T1-GE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto