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SI7143DP-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 35A, POWERPAK SO
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.290 | $ 2.29 |
| Total Preço | $ 2.29 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.290 |
| 50+ | $ 1.550 |
| 100+ | $ 1.130 |
| 250+ | $ 1.040 |
| 500+ | $ 0.950 |
| 1000+ | $ 0.892 |
| 2500+ | $ 0.872 |
| 5000+ | $ 0.851 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7143DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rodo à Medida57AJ0458RL
Segmento de fita57AJ0458
Gama de produtosTrench
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id35A
On Resistance Rds(on)0.0083ohm
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation35.7W
Power Dissipation Pd35.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0083ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
35.7W
No. of Pins
8Pins
Product Range
Trench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
Power Dissipation Pd
35.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI7143DP-T1-GE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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