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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.030 | $ 4.03 |
| Total Preço | $ 4.03 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.030 |
| 10+ | $ 2.730 |
| 25+ | $ 2.520 |
| 50+ | $ 2.290 |
| 100+ | $ 2.080 |
| 250+ | $ 1.910 |
| 500+ | $ 1.730 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.933 |
| 6000+ | $ 0.927 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7135DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rolo completo16P3825
Rodo à Medida01AC5001RL
Segmento de fita01AC5001
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.0032ohm
Drain Source On State Resistance3900µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd104W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0032ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
104W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
3900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI7135DP-T1-GE3
5 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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