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SI7119DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 200 V, 3.8 A, 1.05 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7119DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rolo completo33P5381
Rodo à Medida26R1908
Segmento de fita26R1908
Seu número de peça
3,000 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.400 | $ 1.40 |
| Total Preço | $ 1.40 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.400 |
| 25+ | $ 0.980 |
| 50+ | $ 0.878 |
| 100+ | $ 0.775 |
| 250+ | $ 0.710 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 0.456 |
| 4000+ | $ 0.409 |
| 6000+ | $ 0.395 |
| 10000+ | $ 0.386 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7119DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rolo completo33P5381
Rodo à Medida26R1908
Segmento de fita26R1908
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id3.8A
On Resistance Rds(on)0.86ohm
Drain Source On State Resistance1.05ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage6V
Power Dissipation Pd3.7W
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation3.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Descrição geral do produto
The SI7119DN-T1-GE3 is a 200VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp in intermediate DC-to-DC power supplies applications.
- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -50 to 150°C Operating temperature range
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.86ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
3.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.8A
Drain Source On State Resistance
1.05ohm
Rds(on) Test Voltage
6V
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation
3.7W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI7119DN-T1-GE3
3 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto