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SI7116BDN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 65A, POWERPAK 1212
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7116BDN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante29 semanas
Código Newark21AJ6871
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.860 |
| 10+ | $ 1.180 |
| 25+ | $ 1.050 |
| 50+ | $ 0.923 |
| 100+ | $ 0.792 |
| 250+ | $ 0.709 |
| 500+ | $ 0.625 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.86
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7116BDN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante29 semanas
Código Newark21AJ6871
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id65A
On Resistance Rds(on)0.006ohm
Drain Source On State Resistance6000µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd62.5W
Power Dissipation62.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.006ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
62.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
65A
Drain Source On State Resistance
6000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (07-Nov-2024)
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