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SI7113ADN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 10.8 A, 0.132 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7113ADN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rodo à Medida78AC6540RL
Segmento de fita78AC6540
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rodo à Medida | 1 | $ 1.120 | $ 1.12 |
| Total Preço | $ 1.12 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.120 |
| 50+ | $ 0.755 |
| 100+ | $ 0.477 |
| 250+ | $ 0.410 |
| 500+ | $ 0.343 |
| 1000+ | $ 0.297 |
| 2500+ | $ 0.267 |
| 5000+ | $ 0.236 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI7113ADN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rodo à Medida78AC6540RL
Segmento de fita78AC6540
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id10.8A
Drain Source On State Resistance0.132ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation27.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.132ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
10.8A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
27.8W
Operating Temperature Max
150°C
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI7113ADN-T1-GE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
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Certificado de conformidade do produto