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SI6913DQ-T1-GE3
MOSFET, DUAL, P-CH, -12V, -4.9A, TSSOP-8
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI6913DQ-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark
Rolo completo16P3808
Rodo à Medida04AJ4590RL
Segmento de fita04AJ4590
Seu número de peça
1,227 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.610 | $ 2.61 |
| Total Preço | $ 2.61 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.610 |
| 50+ | $ 1.660 |
| 100+ | $ 1.120 |
| 250+ | $ 1.090 |
| 500+ | $ 1.070 |
| 1000+ | $ 1.040 |
| 2500+ | $ 1.010 |
| 5000+ | $ 0.988 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 1.060 |
| 4000+ | $ 0.953 |
| 6000+ | $ 0.918 |
| 10000+ | $ 0.884 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI6913DQ-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante54 semanas
Código Newark
Rolo completo16P3808
Rodo à Medida04AJ4590RL
Segmento de fita04AJ4590
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id4.9A
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id N Channel4.9A
Continuous Drain Current Id P Channel4.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.016ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.016ohm
Transistor Case StyleTSSOP
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel830mW
Power Dissipation P Channel830mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.016ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
830mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Continuous Drain Current Id
4.9A
Continuous Drain Current Id N Channel
4.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.016ohm
Transistor Case Style
TSSOP
Power Dissipation N Channel
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI6913DQ-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto