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SI5515CDC-T1-GE3
MOSFET, VISHAY SI5515CDC-T1-GE3
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI5515CDC-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante25 semanas
Código Newark97W2671
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.270 |
| 10+ | $ 0.798 |
| 100+ | $ 0.526 |
| 500+ | $ 0.409 |
| 1000+ | $ 0.371 |
| 2500+ | $ 0.335 |
| 10000+ | $ 0.298 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.27
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI5515CDC-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante25 semanas
Código Newark97W2671
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.03ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.03ohm
Transistor Case Style1206
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.03ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.03ohm
Transistor Case Style
1206
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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