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SI5513CDC-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.055 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI5513CDC-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark86R3900
Gama de produtosTrench Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 37 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.238 |
| 5000+ | $ 0.233 |
| 10000+ | $ 0.215 |
| 20000+ | $ 0.200 |
| 30000+ | $ 0.187 |
| 50000+ | $ 0.179 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 3000
Vários: 3000
$ 714.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI5513CDC-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark86R3900
Gama de produtosTrench Series
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.055ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.045ohm
Transistor Case StyleChipFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.045ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
Trench Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.055ohm
Transistor Case Style
ChipFET
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI5513CDC-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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