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SI5457DC-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 6A, 1206 CHIPFET
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.917 | $ 4.58 |
| Total Preço | $ 4.58 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.917 |
| 10+ | $ 0.573 |
| 25+ | $ 0.506 |
| 50+ | $ 0.438 |
| 100+ | $ 0.371 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.351 |
| 6000+ | $ 0.324 |
| 12000+ | $ 0.303 |
| 18000+ | $ 0.282 |
| 30000+ | $ 0.270 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI5457DC-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante29 semanas
Código Newark
Rolo completo01AM0553
Rodo à Medida57AJ0447RL
Segmento de fita57AJ0447
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6A
On Resistance Rds(on)0.03ohm
Drain Source On State Resistance0.036ohm
Transistor Case StyleChipFET
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation5.7W
Power Dissipation Pd5.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.03ohm
Transistor Case Style
ChipFET
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
5.7W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source On State Resistance
0.036ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
Power Dissipation Pd
5.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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