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Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 55 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.270 | $ 1.27 |
| Total Preço | $ 1.27 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.270 |
| 50+ | $ 0.787 |
| 100+ | $ 0.517 |
| 250+ | $ 0.462 |
| 500+ | $ 0.407 |
| 1000+ | $ 0.358 |
| 2500+ | $ 0.337 |
| 5000+ | $ 0.316 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI5448DU-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante55 semanas
Código Newark
Rodo à Medida15AC8652RL
Segmento de fita15AC8652
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance6460µohm
On Resistance Rds(on)0.00646ohm
Transistor Case StylePowerPAK ChipFET
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd31W
Power Dissipation31W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
6460µohm
Transistor Case Style
PowerPAK ChipFET
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
31W
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
On Resistance Rds(on)
0.00646ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
31W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI5448DU-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto

