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SI5429DU-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 12A, PP CHIPFET
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI5429DU-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark63W4146
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 23 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.932 |
| 10+ | $ 0.724 |
| 25+ | $ 0.662 |
| 50+ | $ 0.602 |
| 100+ | $ 0.533 |
| 500+ | $ 0.464 |
| 1000+ | $ 0.388 |
| 2500+ | $ 0.356 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.93
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI5429DU-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark63W4146
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.0122ohm
Drain Source On State Resistance0.0122ohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation31W
Power Dissipation Pd31W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0122ohm
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
31W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.0122ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
31W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos