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SI5419DU-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 12A, POWERPAK CHIPFET
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.931 | $ 0.93 |
| Total Preço | $ 0.93 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.931 |
| 50+ | $ 0.576 |
| 100+ | $ 0.374 |
| 250+ | $ 0.331 |
| 500+ | $ 0.287 |
| 1000+ | $ 0.259 |
| 2500+ | $ 0.254 |
| 5000+ | $ 0.249 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI5419DU-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rodo à Medida57AJ0446RL
Segmento de fita57AJ0446
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.016ohm
On Resistance Rds(on)0.016ohm
Transistor Case StylePowerPAK ChipFET
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation31W
Power Dissipation Pd31W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
Transistor Case Style
PowerPAK ChipFET
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
31W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
31W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SI5419DU-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto