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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.730 | $ 1.73 |
| Total Preço | $ 1.73 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.730 |
| 10+ | $ 1.100 |
| 25+ | $ 0.977 |
| 50+ | $ 0.854 |
| 100+ | $ 0.729 |
| 250+ | $ 0.651 |
| 500+ | $ 0.573 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 0.615 |
| 4000+ | $ 0.567 |
| 6000+ | $ 0.552 |
| 10000+ | $ 0.543 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI5403DC-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rolo completo16P3766
Rodo à Medida01AC4999RL
Segmento de fita01AC4999
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Transistor Case StyleChipFET
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd6.3W
Power Dissipation6.3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Transistor Case Style
ChipFET
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
6.3W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
6.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI5403DC-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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