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SI4948BEY-T1-E3
Dual MOSFET, P Channel, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 100 mohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4948BEY-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rolo completo29X0543
Rodo à Medida57J5688RL
Segmento de fita57J5688
Seu número de peça
2,450 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.950 | $ 1.95 |
| Total Preço | $ 1.95 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.950 |
| 50+ | $ 1.240 |
| 100+ | $ 0.836 |
| 250+ | $ 0.749 |
| 500+ | $ 0.662 |
| 1000+ | $ 0.603 |
| 2500+ | $ 0.532 |
| 5000+ | $ 0.521 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.779 |
| 4000+ | $ 0.718 |
| 6000+ | $ 0.699 |
| 10000+ | $ 0.688 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4948BEY-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rolo completo29X0543
Rodo à Medida57J5688RL
Segmento de fita57J5688
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id2.4A
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id N Channel2.4A
Continuous Drain Current Id P Channel2.4A
Drain Source On State Resistance N Channel100mohm
Drain Source On State Resistance P Channel100mohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Descrição geral do produto
The SI4948BEY-T1-E3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- TrenchFET® power MOSFET
Aplicações
Industrial, Power Management
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
100mohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
2.4A
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
100mohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI4948BEY-T1-E3
2 produtos encontrados
Produtos associados
7 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (10-Jun-2022)
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Certificado de conformidade do produto