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SI4948BEY-T1-E3.
Dual MOSFET, Dual P Channel, 60 V, 2.4 A
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4948BEY-T1-E3.Cópia
Código Newark28AC2152
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.627 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 2500
Vários: 2500
$ 1,567.50
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4948BEY-T1-E3.Cópia
Código Newark28AC2152
Ficha técnica
Channel TypeDual P Channel
Continuous Drain Current Id2.4A
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel2.4A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.12ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.12ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
2.4A
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI4948BEY-T1-E3.
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Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Não
Ftalatos compatíveis com RoHS:Não
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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