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SI4946BEY-T1-E3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4946BEY-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark
Rolo completo87K0417
Rodo à Medida75M3216
Segmento de fita75M3216
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 8 Semana(s)
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 2500 | $ 1.990 | $ 4,975.00 |
| Total Preço | $ 4,975.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 1.990 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.755 |
| 5000+ | $ 0.743 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4946BEY-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark
Rolo completo87K0417
Rodo à Medida75M3216
Segmento de fita75M3216
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id6.5A
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id N Channel6.5A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.033ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.4W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The SI4946BEY-T1-E3 is a 60V Dual N-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 175°C Maximum junction temperature
- 100% Rg Tested
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
6.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
6.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.033ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.4W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (4)
Alternativas para SI4946BEY-T1-E3
1 produto encontrado
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto