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SI4936CDY-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4936CDY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante49 semanas
Código Newark
Rolo completo15R5130
Rodo à Medida55R1929RL
Segmento de fita55R1929
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.980 | $ 0.98 |
| Total Preço | $ 0.98 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.980 |
| 50+ | $ 0.611 |
| 100+ | $ 0.399 |
| 250+ | $ 0.354 |
| 500+ | $ 0.308 |
| 1000+ | $ 0.278 |
| 2500+ | $ 0.245 |
| 5000+ | $ 0.227 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.358 |
| 5000+ | $ 0.352 |
| 10000+ | $ 0.331 |
| 20000+ | $ 0.314 |
| 30000+ | $ 0.298 |
| 50000+ | $ 0.288 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4936CDY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante49 semanas
Código Newark
Rolo completo15R5130
Rodo à Medida55R1929RL
Segmento de fita55R1929
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id5.8A
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel5.8A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.033ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.3W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.8A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.033ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI4936CDY-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto