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SI4925DDY-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 8 A
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4925DDY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark
Rolo completo15R5124
Rodo à Medida05W6952RL
Segmento de fita05W6952
Seu número de peça
2,447 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.730 | $ 1.73 |
| Total Preço | $ 1.73 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.730 |
| 50+ | $ 1.150 |
| 100+ | $ 0.803 |
| 250+ | $ 0.732 |
| 500+ | $ 0.660 |
| 1000+ | $ 0.614 |
| 2500+ | $ 0.563 |
| 5000+ | $ 0.516 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.448 |
| 4000+ | $ 0.402 |
| 6000+ | $ 0.388 |
| 10000+ | $ 0.379 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4925DDY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark
Rolo completo15R5124
Rodo à Medida05W6952RL
Segmento de fita05W6952
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.024ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel5W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (19-Jan-2021)
Descrição geral do produto
The SI4925DDY-T1-GE3 is a -30V Dual P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for load switches, notebook PCs, desktop PCs and game station applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% UIS Tested
Aplicações
Power Management, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.024ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
5W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI4925DDY-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
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Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (19-Jan-2021)
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Certificado de conformidade do produto