Imprimir página
SI4850EY-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4850EY-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rolo completo35K3477
Rodo à Medida06J7915
Segmento de fita06J7915
Seu número de peça
4 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Disponível conforme quantidade indicadaPara solicitar uma quantidade maior do que a exibida no inventário, entre em contato com o departamento de vendas
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.270 | $ 2.27 |
| Total Preço | $ 2.27 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.270 |
| 10+ | $ 2.170 |
| 25+ | $ 2.030 |
| 50+ | $ 1.860 |
| 100+ | $ 1.690 |
| 250+ | $ 1.500 |
| 500+ | $ 1.330 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.839 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4850EY-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rolo completo35K3477
Rodo à Medida06J7915
Segmento de fita06J7915
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id8.5A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
On Resistance Rds(on)0.018ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3.3W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation3.3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para SI4850EY-T1-E3
1 produto encontrado
Descrição geral do produto
The SI4850EY-T1-E3 is a TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with reduced total dynamic gate charge (Qg).
- Fast switching
- 175°C Maximum junction temperature
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.5A
On Resistance Rds(on)
0.018ohm
Power Dissipation Pd
3.3W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
3.3W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos