Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4850BDY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark
Rolo completo59AC7483
Rodo à Medida50AC9665RL
Segmento de fita50AC9665
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Seu número de peça
5,805 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.960 | $ 1.96 |
| Total Preço | $ 1.96 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.960 |
| 10+ | $ 1.240 |
| 25+ | $ 1.100 |
| 50+ | $ 0.963 |
| 100+ | $ 0.824 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 4000+ | $ 0.536 |
| 6000+ | $ 0.522 |
| 10000+ | $ 0.513 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4850BDY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark
Rolo completo59AC7483
Rodo à Medida50AC9665RL
Segmento de fita50AC9665
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id11.3A
On Resistance Rds(on)0.016ohm
Drain Source On State Resistance0.016ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd4.5W
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation4.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.016ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11.3A
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
4.5W
Power Dissipation
4.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI4850BDY-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
