Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4835DDY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rodo à Medida23T8517RL
Segmento de fita23T8517
Seu número de peça
2,309 Em Estoque
5,000 Você pode reservar estoque agora
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.660 | $ 1.66 |
| Total Preço | $ 1.66 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.660 |
| 50+ | $ 1.050 |
| 100+ | $ 0.711 |
| 250+ | $ 0.637 |
| 500+ | $ 0.563 |
| 1000+ | $ 0.515 |
| 2500+ | $ 0.462 |
| 5000+ | $ 0.459 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4835DDY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rodo à Medida23T8517RL
Segmento de fita23T8517
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id13A
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation5.6W
Power Dissipation Pd5.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
- P-channel 30V (D-S) MOSFET
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
- Applicable for load switches, notebook PCs and desktop PCs
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5.6W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
5.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI4835DDY-T1-GE3
5 produtos encontrados
Produtos associados
6 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
