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SI4532CDY-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.047 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4532CDY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rolo completo96AJ0116
Rodo à Medida05W6945RL
Segmento de fita05W6945
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 37 Semana(s)
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.200 | $ 1.20 |
| Total Preço | $ 1.20 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.200 |
| 50+ | $ 0.782 |
| 100+ | $ 0.541 |
| 250+ | $ 0.489 |
| 500+ | $ 0.437 |
| 1000+ | $ 0.403 |
| 2500+ | $ 0.332 |
| 5000+ | $ 0.325 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.269 |
| 5000+ | $ 0.261 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4532CDY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark
Rolo completo96AJ0116
Rodo à Medida05W6945RL
Segmento de fita05W6945
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.047ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.089ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.78W
Power Dissipation P Channel2.78W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Descrição geral do produto
The SI4532CDY-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC to DC converters and load switch applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.089ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.78W
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.047ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Alternativas para SI4532CDY-T1-GE3
2 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto