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SI4465ADY-T1-E3
MOSFET, P CH, -8V, 0.0075OHM, -20A, SOIC
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4465ADY-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark97W2655
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.670 |
| 10+ | $ 1.500 |
| 25+ | $ 1.450 |
| 50+ | $ 1.390 |
| 100+ | $ 1.340 |
| 500+ | $ 1.240 |
| 1000+ | $ 1.150 |
| 2500+ | $ 1.140 |
Unidades por pacoteEach
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4465ADY-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark97W2655
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id13.7A
Drain Source On State Resistance9000µohm
On Resistance Rds(on)0.0075ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
Power Dissipation6.5W
Power Dissipation Pd6.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Descrição geral do produto
- P-channel 1.8-V (G-S) TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
9000µohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
6.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
13.7A
On Resistance Rds(on)
0.0075ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
Power Dissipation Pd
6.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (10-Jun-2022)
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