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SI4463CDY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 18.6 A, 0.008 ohm, SOIC, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4463CDY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6296
Rodo à Medida64T4067RL
Segmento de fita64T4067
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.290 | $ 1.29 |
| Total Preço | $ 1.29 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.290 |
| 50+ | $ 0.610 |
| 100+ | $ 0.543 |
| 250+ | $ 0.484 |
| 500+ | $ 0.425 |
| 1000+ | $ 0.417 |
| 2500+ | $ 0.408 |
| 5000+ | $ 0.400 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.657 |
| 4000+ | $ 0.606 |
| 6000+ | $ 0.590 |
| 10000+ | $ 0.580 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4463CDY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6296
Rodo à Medida64T4067RL
Segmento de fita64T4067
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id18.6A
Drain Source On State Resistance8000µohm
On Resistance Rds(on)0.006ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd5W
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
The SI4463CDY-T1-GE3 is a 2.5VGS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for adaptor switch, high current load switch and notebook applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
18.6A
On Resistance Rds(on)
0.006ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
5W
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Alternativas para SI4463CDY-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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