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SI4435DDY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4435DDY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark
Rolo completo15R5017
Segmento de fita84R8049
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 27 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rolo completo | 2500 | $ 0.426 | $ 1,065.00 |
| Total Preço | $ 1,065.00 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.452 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.426 |
| 5000+ | $ 0.418 |
| 10000+ | $ 0.393 |
| 20000+ | $ 0.372 |
| 30000+ | $ 0.353 |
| 50000+ | $ 0.342 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4435DDY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark
Rolo completo15R5017
Segmento de fita84R8049
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id8.1A
On Resistance Rds(on)0.0195ohm
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.5W
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The SI4435DDY-T1-GE3 is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET with advance high density process. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0195ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
8.1A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI4435DDY-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto