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SI4435DDY-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Surface Mount
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Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 27 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.335 |
| 5000+ | $ 0.327 |
| 10000+ | $ 0.303 |
| 20000+ | $ 0.282 |
| 30000+ | $ 0.263 |
| 50000+ | $ 0.251 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 2500
Vários: 2500
$ 837.50
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4435DDY-T1-E3
Código Newark29X0534
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id11.4A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
On Resistance Rds(on)0.0195ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd5W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
5W
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
11.4A
On Resistance Rds(on)
0.0195ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para SI4435DDY-T1-E3
2 produtos encontrados
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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