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SI4431CDY-T1-GE3.
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4431CDY-T1-GE3.Cópia
Código Newark30AC0162
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.531 |
| 7500+ | $ 0.487 |
| 12500+ | $ 0.486 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 2500
Vários: 2500
$ 1,327.50
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4431CDY-T1-GE3.Cópia
Código Newark30AC0162
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id9A
On Resistance Rds(on)0.026ohm
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd4.2W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation4.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
4.2W
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
9A
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI4431CDY-T1-GE3.
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Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Não
Ftalatos compatíveis com RoHS:Não
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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