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SI4425FDY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 18.3 A, 0.0095 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4425FDY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark42AJ0614
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.915 |
| 10+ | $ 0.751 |
| 100+ | $ 0.542 |
| 500+ | $ 0.483 |
| 1000+ | $ 0.434 |
| 2500+ | $ 0.372 |
| 10000+ | $ 0.363 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.92
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4425FDY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante53 semanas
Código Newark42AJ0614
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id18.3A
Drain Source On State Resistance0.0095ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation4.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
18.3A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
4.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0095ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SI4425FDY-T1-GE3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos