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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4425DDY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark55R1922
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.070 |
| 10+ | $ 1.040 |
| 25+ | $ 0.958 |
| 50+ | $ 0.879 |
| 100+ | $ 0.799 |
| 250+ | $ 0.743 |
| 500+ | $ 0.687 |
| 1000+ | $ 0.639 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.07
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4425DDY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark55R1922
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id19.7A
Drain Source On State Resistance0.0098ohm
On Resistance Rds(on)0.0081ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd5.7W
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation5.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
The SI4425DDY-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
- 100% Rg tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
19.7A
On Resistance Rds(on)
0.0081ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
5.7W
Power Dissipation
5.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0098ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI4425DDY-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
