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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4186DY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark35R0075
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 27 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.676 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 2500
Vários: 2500
$ 1,690.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4186DY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark35R0075
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id35.8A
Drain Source On State Resistance0.0026ohm
On Resistance Rds(on)0.0026ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd3W
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
3W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
35.8A
On Resistance Rds(on)
0.0026ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI4186DY-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto
