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SI4178DY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, SOIC, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4178DY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3880
Rodo à Medida05W6942
Segmento de fita05W6942
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
2,490 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.160 | $ 1.16 |
| Total Preço | $ 1.16 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.160 |
| 10+ | $ 0.751 |
| 25+ | $ 0.673 |
| 50+ | $ 0.594 |
| 100+ | $ 0.516 |
| 250+ | $ 0.466 |
| 500+ | $ 0.416 |
| 1000+ | $ 0.383 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.286 |
| 5000+ | $ 0.279 |
| 10000+ | $ 0.258 |
| 20000+ | $ 0.240 |
| 30000+ | $ 0.224 |
| 50000+ | $ 0.214 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4178DY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3880
Rodo à Medida05W6942
Segmento de fita05W6942
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.017ohm
Drain Source On State Resistance0.021ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd5W
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
5W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.021ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI4178DY-T1-GE3
4 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto