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SI4178DY-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 12A, SOIC
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.884 | $ 4.42 |
| Total Preço | $ 4.42 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.884 |
| 10+ | $ 0.794 |
| 25+ | $ 0.723 |
| 50+ | $ 0.640 |
| 100+ | $ 0.569 |
| 250+ | $ 0.488 |
| 500+ | $ 0.429 |
| 1000+ | $ 0.340 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.286 |
| 5000+ | $ 0.279 |
| 10000+ | $ 0.258 |
| 20000+ | $ 0.240 |
| 30000+ | $ 0.224 |
| 50000+ | $ 0.214 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4178DY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rolo completo26AM4640
Rodo à Medida01AC4994RL
Segmento de fita01AC4994
Gama de produtosTrenchFET
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.021ohm
On Resistance Rds(on)0.017ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd5W
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.021ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
5W
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Alternativas para SI4178DY-T1-GE3
3 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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