Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4162DY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6288
Rodo à Medida55R1921RL
Segmento de fita55R1921
Seu número de peça
69,503 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.380 | $ 1.38 |
| Total Preço | $ 1.38 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.380 |
| 50+ | $ 0.939 |
| 100+ | $ 0.686 |
| 250+ | $ 0.632 |
| 500+ | $ 0.577 |
| 1000+ | $ 0.542 |
| 2500+ | $ 0.503 |
| 5000+ | $ 0.496 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.603 |
| 5000+ | $ 0.592 |
| 10000+ | $ 0.557 |
| 20000+ | $ 0.527 |
| 30000+ | $ 0.501 |
| 50000+ | $ 0.484 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4162DY-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6288
Rodo à Medida55R1921RL
Segmento de fita55R1921
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id19.3A
Drain Source On State Resistance7900µohm
On Resistance Rds(on)0.0065ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd5W
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
7900µohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
19.3A
On Resistance Rds(on)
0.0065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
5W
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (3)
Alternativas para SI4162DY-T1-GE3
4 produtos encontrados
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
