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SI4160DY-T1-GE3.
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 25.4 A, 0.004 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4160DY-T1-GE3.Cópia
Código Newark15AC0296
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 0.613 |
| 4000+ | $ 0.550 |
| 6000+ | $ 0.531 |
| 10000+ | $ 0.519 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 2500
Vários: 2500
$ 1,532.50
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4160DY-T1-GE3.Cópia
Código Newark15AC0296
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id25.4A
Drain Source On State Resistance0.004ohm
On Resistance Rds(on)0.004ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd5.7W
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation5.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.004ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
5.7W
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
25.4A
On Resistance Rds(on)
0.004ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
5.7W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI4160DY-T1-GE3.
3 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto